Peide Ye

Viittaukset

	Kaikki	2019 lähtien
Sitaatit	39562	21145
h-indeksi	89	60
i10-indeksi	312	221

3900

1950

975

2925

200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024148 166 213 257 555 617 793 772 809 1154 1366 2055 2689 3063 3245 3457 3525 3804 3767 3592 2987

Yleisessä käytössä

Näytä kaikki

122 artikkelia

33 artikkelia

käytettävissä

ei käytettävissä

Perustuu rahoitusehtoihin

Muut kirjoittajat

Gang QiuUniversity of MinnesotaVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa g.ucla.edu
Han LiuApple Inc.Vahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa apple.com
Adam T. NealAir Force Research LabVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa us.af.mil
Yi XUANUniversity of Pittsburgh, School of MedicineVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa pitt.edu
Xianfan XuPurdue UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa purdue.edu
Yanqing WuPeking UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa pku.edu.cn
Wenzhuo Wu (武文倬)School of IE; Flex Lab; Birck Nanotechnology Center; Purdue Quantum Science&Engineering InstituteVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa purdue.edu
Hong ZhouXidian UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa xidian.edu.cn
Adam CharnasAir Force Research LaboratoryVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa purdue.edu
Zehao LinPhD Candidate in Electrical & Computer Engineering, Purdue UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa purdue.edu
Haiyan WangPurdue UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa purdue.edu
Chang NiuPurdue UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa purdue.edu
Muhammad Ashraful AlamJai N. Gupta Distinguished Professor of Electrical Engineering, Purdue UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa purdue.edu
Ali ShakouriProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa purdue.edu
Dennis Han Chung LinIMECVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa imec.be
Yong P. ChenPurdue University; Aarhus University; WPI-AIMR; MUSTVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa purdue.edu
Dieter WeissUniversitaet Regensburg, Max-Planck Institut FKF Stuttgart, TU München; Technical University MunichVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa ur.de
M. HongNatl Taiwan Univ. Bell LaboratoriesVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa phys.ntu.edu.tw
Sami AlghamdiAssociate Professor at King Abdulaziz University - PhD, Purdue UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa kau.edu.sa
Mark LundstromProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa purdue.edu

Seuraa

Peide Ye

Richard J. and Mary Jo Schwartz Professor of Electrical and Computer Engineering, Purdue University

Vahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa purdue.edu - Kotisivu

Microelectronic devices nano-materials nano-electronics condense-matter physics


Nimike Lajittele sitaattien mukaan Lajittele vuoden mukaan Lajittele otsikon mukaan	Viittaukset Viittaukset	Vuosi
Phosphorene: an unexplored 2D semiconductor with a high hole mobility H Liu, AT Neal, Z Zhu, Z Luo, X Xu, D Tománek, PD Ye ACS nano 8 (4), 4033-4041, 2014	6581	2014
Semiconducting black phosphorus: synthesis, transport properties and electronic applications H Liu, Y Du, Y Deng, DY Peide Chemical Society Reviews 44 (9), 2732-2743, 2015	1533	2015
Black Phosphorus–Monolayer MoS₂ van der Waals Heterojunction p–n Diode Y Deng, Z Luo, NJ Conrad, H Liu, Y Gong, S Najmaei, PM Ajayan, J Lou, ... ACS nano 8 (8), 8292-8299, 2014	1340	2014
Channel Length Scaling of MoS₂ MOSFETs H Liu, AT Neal, PD Ye ACS nano 6 (10), 8563-8569, 2012	914	2012
Bandgap engineering of two-dimensional semiconductor materials A Chaves, JG Azadani, H Alsalman, DR Da Costa, R Frisenda, AJ Chaves, ... npj 2D Materials and Applications 4 (1), 29, 2020	820	2020
Chloride Molecular Doping Technique on 2D Materials: WS₂ and MoS₂ L Yang, K Majumdar, H Liu, Y Du, H Wu, M Hatzistergos, PY Hung, ... Nano letters 14 (11), 6275-6280, 2014	789	2014
Field-effect transistors made from solution-grown two-dimensional tellurene Y Wang, G Qiu, R Wang, S Huang, Q Wang, Y Liu, Y Du, WA Goddard III, ... Nature Electronics 1 (4), 228-236, 2018	759	2018
Anisotropic in-plane thermal conductivity observed in few-layer black phosphorus Z Luo, J Maassen, Y Deng, Y Du, RP Garrelts, MS Lundstrom, PD Ye, ... Nature communications 6 (1), 8572, 2015	719	2015
Fabrication of fully transparent nanowire transistors for transparent and flexible electronics S Ju, A Facchetti, Y Xuan, J Liu, F Ishikawa, P Ye, C Zhou, TJ Marks, ... Nature nanotechnology 2 (6), 378-384, 2007	636	2007
GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility-transistor with atomic layer deposited Al2O3 as gate dielectric PD Ye, B Yang, KK Ng, J Bude, GD Wilk, S Halder, JCM Hwang Applied Physics Letters 86 (6), 2005	598	2005
Phosphorene excites materials scientists ES Reich Nature 506 (7486), 19, 2014	578	2014
InP-based transistor fabrication P Ye, Z Cheng, Y Xuan, Y Wu, B Adekore, J Fiorenza US Patent 8,329,541, 2012	537	2012
Dual-Gate MOSFET With Atomic-Layer-Depositedas Top-Gate Dielectric H Liu, DY Peide IEEE electron device letters 33 (4), 546-548, 2012	531	2012
Steep-slope hysteresis-free negative capacitance MoS₂ transistors M Si, CJ Su, C Jiang, NJ Conrad, H Zhou, KD Maize, G Qiu, CT Wu, ... Nature nanotechnology 13 (1), 24-28, 2018	513	2018
Device perspective for black phosphorus field-effect transistors: contact resistance, ambipolar behavior, and scaling Y Du, H Liu, Y Deng, PD Ye ACS nano 8 (10), 10035-10042, 2014	499	2014
Electrons in a periodic magnetic field induced by a regular array of micromagnets PD Ye, D Weiss, RR Gerhardts, M Seeger, K Von Klitzing, K Eberl, ... Physical review letters 74 (15), 3013, 1995	448	1995
A ferroelectric semiconductor field-effect transistor M Si, AK Saha, S Gao, G Qiu, J Qin, Y Duan, J Jian, C Niu, H Wang, W Wu, ... Nature Electronics 2 (12), 580-586, 2019	446	2019
High-performance inversion-type enhancement-mode InGaAs MOSFET with maximum drain current exceeding 1 A/mm Y Xuan, YQ Wu, PD Ye IEEE Electron Device Letters 29 (4), 294-296, 2008	414	2008
GaAs metal–oxide–semiconductor field-effect transistor with nanometer-thin dielectric grown by atomic layer deposition PD Ye, GD Wilk, B Yang, J Kwo, SNG Chu, S Nakahara, HJL Gossmann, ... Applied Physics Letters 83 (1), 180-182, 2003	410	2003
Statistical study of deep submicron dual-gated field-effect transistors on monolayer chemical vapor deposition molybdenum disulfide films H Liu, M Si, S Najmaei, AT Neal, Y Du, PM Ajayan, J Lou, PD Ye Nano letters 13 (6), 2640-2646, 2013	392	2013

Järjestelmä ei voi suorittaa toimenpidettä nyt. Yritä myöhemmin uudelleen.

Artikkelit 1–20

Sitaatteja vuodessa

Päällekkäiset lähteet

Yhdistetyt sitaatit

Lisää muut kirjoittajatMuut kirjoittajat

Seuraa

Viittaukset

Muut kirjoittajat