Asif Khan

Viittaukset

	Kaikki	2018 lähtien
Sitaatit	5249	4265
h-indeksi	33	29
i10-indeksi	69	61

1000

500

250

750

20122013201420152016201720182019202020212022202332 29 44 138 248 441 541 610 688 991 979 455

Yleisessä käytössä

Näytä kaikki

37 artikkelia

26 artikkelia

käytettävissä

ei käytettävissä

Perustuu rahoitusehtoihin

Muut kirjoittajat

Sayeef SalahuddinTSMC Distinguished Professor of EECS, University of California, BerkeleyVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa berkeley.edu
chenming huUniversity of California, BerkeleyVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa eecs.berkeley.edu
Claudy Rayan SerraoIntelVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa intel.com
sourabh khandelwalUC BerkeleyVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa berkeley.edu
Long YouProfessor of School of Optical and Electric Information, Huazhong University of Science andVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa hust.edu.cn
Juan Pablo Duarte SepulvedaAppleVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa apple.com
Jayakanth RavichandranUniversity of Southern CaliforniaVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa usc.edu
Angada SachidApplied MaterialsVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa amat.com
Thomas MikolajickScientific Director, NaMLab GmbH and Professor for nanoelectronic materials, TU DresdenVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa namlab.com
Stefan SlesazeckNaMLab gGmbHVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa namlab.com
Vijaykrishnan NarayananRobert Noll Chair Professor at The Pennsylvania State UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa cse.psu.edu
Ujwal RadhakrishnaResearcher, MGTS, Kilby Research Labs, Texas Instruments Inc.Vahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa ti.com
Meng-Fan ChangNational Tsing Hua University, TaiwanVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa ee.nthu.edu.tw
Milan PesicTD manager & SMTS @ Applied Materials IncVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa amat.com
Masud HasanTaibah UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa taibahu.edu.sa
Asis SarkarCenter for applied research and nanotechnologyVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa sit.ac.in
Xavi MartiInstitute of Physics - Czech Academy of SciencesVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa fzu.cz
Xueqing LiAssociate Professor, Tsinghua UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa tsinghua.edu.cn
Kaisheng MaInstitute for Interdisciplinary Information Sciences, Tsinghua UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa mail.tsinghua.edu.cn
Sumeet GuptaSchool of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa purdue.edu

Seuraa

Asif Khan

Assistant Professor, ECE and MSE, Georgia Tech

Vahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa ece.gatech.edu - Kotisivu

ferroelectrics and ferroics semiconductor devices negative capacitance


Nimike Lajittele sitaattien mukaan Lajittele vuoden mukaan Lajittele otsikon mukaan	Viittaukset Viittaukset	Vuosi
Negative capacitance in a ferroelectric capacitor AI Khan, K Chatterjee, B Wang, S Drapcho, L You, C Serrao, SR Bakaul, ... Nature materials 14 (2), 182, 2015	702	2015
Experimental evidence of ferroelectric negative capacitance in nanoscale heterostructures AI Khan, D Bhowmik, P Yu, SJ Kim, X Pan, R Ramesh, S Salahuddin Applied Physics Letters 99 (11), 113501, 2011	368	2011
Ferroelectric negative capacitance MOSFET: Capacitance tuning & antiferroelectric operation AI Khan, CW Yeung, C Hu, S Salahuddin Electron Devices Meeting (IEDM), 2011 IEEE International, 11.3. 1-11.3. 4, 2011	348	2011
The future of ferroelectric field-effect transistor technology AI Khan, A Keshavarzi, S Datta Nature Electronics 3 (10), 588-597, 2020	309	2020
Spatially resolved steady-state negative capacitance AK Yadav, KX Nguyen, Z Hong, P García-Fernández, P Aguado-Puente, ... Nature, 1, 2019	265	2019
Direct Observation of Negative Capacitance in Polycrystalline Ferroelectric HfO2 M Hoffmann, M Pešić, K Chatterjee, AI Khan, S Salahuddin, S Slesazeck, ... Advanced Functional Materials, 2016	242	2016
Negative Capacitance in Short Channel FinFETs Externally Connected to An Epitaxial Ferroelectric Capacitor A Islam Khan, K Chatterjee, JP Duarte, Z Lu, A Sachid, S Khandelwal, ... IEEE Electron Device Letters 37 (1), 111 - 114, 2016	230*	2016
Single Crystal Functional Oxides on Silicon SR Bakaul, CR Serrao, M Lee, CW Yeung, A Sarker, SL Hsu, A Yadav, ... Nature Communications, 10547, 2016	163	2016
Effects of the Variation of Ferroelectric Properties on Negative Capacitance FET Characteristics CI Lin, AI Khan, S Salahuddin, C Hu IEEE Transactions on Electron Devices 63 (5), 2197 - 2199, 2016	162	2016
Room-temperature negative capacitance in a ferroelectric–dielectric superlattice heterostructure W Gao, A Khan, X Marti, C Nelson, C Serrao, J Ravichandran, R Ramesh, ... Nano letters 14 (10), 5814-5819, 2014	149	2014
Negative Capacitance Behavior in a Leaky Ferroelectric AI Khan, U Radhakrishna, K Chatterjee, S Salahuddin, DA Antoniadis IEEE Transactions on Electron Devices 63 (11), 4416-4422, 2016	123	2016
Nonvolatile memory design based on ferroelectric FETs S George, K Ma, A Aziz, X Li, A Khan, S Salahuddin, MF Chang, S Datta, ... Design Automation Conference (DAC), 2016 53nd ACM/EDAC/IEEE, 1-6, 2016	111	2016
Compact models of negative-capacitance FinFETs: Lumped and distributed charge models JP Duarte, S Khandelwal, AI Khan, A Sachid, YK Lin, HL Chang, ... Electron Devices Meeting (IEDM), 2016 IEEE International, 30.5. 1-30.5. 4, 2016	91	2016
Self-Aligned, Gate Last, FDSOI, Ferroelectric Gate Memory Device With 5.5-nm Hf_0.8Zr_0.2O₂, High Endurance and Breakdown Recovery K Chatterjee, S Kim, G Karbasian, AJ Tan, AK Yadav, AI Khan, C Hu, ... IEEE Electron Device Letters 38 (10), 1379-1382, 2017	86	2017
Enabling Energy-Efficient Nonvolatile Computing With Negative Capacitance FET X Li, J Sampson, A Khan, K Ma, S George, A Aziz, SK Gupta, ... IEEE Transactions on Electron Devices 64 (8), 3452-3458, 2017	82	2017
Impact of Parasitic Capacitance and Ferroelectric Parameters on Negative Capacitance FinFET Characteristics S Khandelwal, JP Duarte, AI Khan, S Salahuddin, C Hu IEEE Electron Device Letters 38 (1), 142-144, 2017	78	2017
Low power negative capacitance FETs for future quantum-well body technology CW Yeung, AI Khan, A Sarker, S Salahuddin, C Hu VLSI Technology, Systems, and Applications (VLSI-TSA), 2013 International …, 2013	74	2013
Work function engineering for performance improvement in leaky negative capacitance FETs AI Khan, U Radhakrishna, S Salahuddin, D Antoniadis IEEE Electron Device Letters 38 (9), 1335-1338, 2017	73	2017
Ferroelectric negative capacitance domain dynamics M Hoffmann, AI Khan, C Serrao, Z Lu, S Salahuddin, M Pešić, ... Journal of Applied Physics 123 (18), 184101, 2018	69	2018
Dense Electron System from Gate-Controlled Surface Metal–Insulator Transition K Liu, D Fu, J Cao, J Suh, KX Wang, C Cheng, DF Ogletree, H Guo, ... Nano letters 12 (12), 6272-6277, 2012	64	2012

Järjestelmä ei voi suorittaa toimenpidettä nyt. Yritä myöhemmin uudelleen.

Artikkelit 1–20

Sitaatteja vuodessa

Päällekkäiset lähteet

Yhdistetyt sitaatit

Lisää muut kirjoittajatMuut kirjoittajat

Seuraa

Viittaukset

Muut kirjoittajat